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酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及びスパッタリングターゲット[ja]

被引：0
申请号：
JP20190554444
申请日：
2018-11-19
公开(公告)号：
JP6928333B2
公开(公告)日：
2021-09-01
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/363
IPC分类号：
C23C14/08 H01L29/786
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP7384777B2 ,2023-11-21
[2]
酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP7625671B1 ,2025-02-03
[3]
酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP6753969B2 ,2020-09-09
[4]
薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP6613314B2 ,2019-11-27
[5]
薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017090584A1 ,2018-09-13
[6]
薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5718072B2 ,2015-05-13
[7]
薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタ、表示装置およびスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP6068232B2 ,2017-01-25
[8]
薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
SAKAI TOSHIHIKO ;
HIGASHI DAISUKE ;
FUJIWARA MASAYOSHI .
日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14
[9]
薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22
[10]
トランジスタの製造方法、トランジスタ及びスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010092810A1 ,2012-08-16
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