薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット[ja]

被引:0
申请号
JP20170552420
申请日
2016-11-22
公开(公告)号
JP6613314B2
公开(公告)日
2019-11-27
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
C01G23/00 C04B35/01 C04B35/453 C23C14/08 C23C14/34 H01L21/336
代理机构
代理人
法律状态
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