学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170552420
申请日
:
2016-11-22
公开(公告)号
:
JP6613314B2
公开(公告)日
:
2019-11-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
C01G23/00
C04B35/01
C04B35/453
C23C14/08
C23C14/34
H01L21/336
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017090584A1
,2018-09-13
[2]
酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP7384777B2
,2023-11-21
[3]
酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP7625671B1
,2025-02-03
[4]
酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6753969B2
,2020-09-09
[5]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP6917880B2
,2021-08-11
[6]
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6956748B2
,2021-11-02
[7]
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018143005A1
,2019-11-21
[8]
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155301A1
,2019-12-12
[9]
酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6928333B2
,2021-09-01
[10]
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、スパッタリングターゲット用酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JP6902090B2
,2021-07-14
←
1
2
3
4
5
→