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酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、スパッタリングターゲット用酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び電子機器[ja]
被引：0
申请号：
JP20190501265
申请日：
2018-02-15
公开(公告)号：
JP6902090B2
公开(公告)日：
2021-07-14
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/363
IPC分类号：
C04B35/01
C23C14/08
C23C14/34
H01L29/786
H01L29/80
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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