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薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタ、表示装置およびスパッタリングターゲット[ja]
被引：0
申请号：
JP20130073723
申请日：
2013-03-29
公开(公告)号：
JP6068232B2
公开(公告)日：
2017-01-25
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L29/786
IPC分类号：
G02F1/1368
G09F9/30
H01L21/336
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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