半導体基板の製造方法及びそれに用いる下地基板[ja]

被引:0
申请号
JP20190029358
申请日
2019-02-21
公开(公告)号
JP7284983B2
公开(公告)日
2023-06-01
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C30B29/38
IPC分类号
C23C16/04 C23C16/34 C30B25/18 H01L21/205
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
下地基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7320070B2 ,2023-08-02
[2]
下地基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7159449B2 ,2022-10-24
[3]
下地基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7159450B2 ,2022-10-24
[4]
下地基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020194802A1 ,2021-10-28
[5]
下地基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020194803A1 ,2021-11-18
[6]
下地基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7439117B2 ,2024-02-27
[9]
[10]