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半導体基板の製造方法及びそれに用いる下地基板[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190029358
申请日
:
2019-02-21
公开(公告)号
:
JP7284983B2
公开(公告)日
:
2023-06-01
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B29/38
IPC分类号
:
C23C16/04
C23C16/34
C30B25/18
H01L21/205
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
下地基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7320070B2
,2023-08-02
[2]
下地基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7159449B2
,2022-10-24
[3]
下地基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7159450B2
,2022-10-24
[4]
下地基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020194802A1
,2021-10-28
[5]
下地基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020194803A1
,2021-11-18
[6]
下地基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7439117B2
,2024-02-27
[7]
下地基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6144525B2
,2017-06-07
[8]
下地基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6091969B2
,2017-03-08
[9]
下地基板、機能素子および下地基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7181210B2
,2022-11-30
[10]
下地基板、機能素子および下地基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7161483B2
,2022-10-26
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