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磁気抵抗素子及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20060511062
申请日
:
2005-03-10
公开(公告)号
:
JPWO2005088745A1
公开(公告)日
:
2007-08-09
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N39/00
IPC分类号
:
H10N50/10
G11C11/16
H01F10/32
H01L21/8246
H01L27/105
H01L27/22
H10N50/01
H10N50/80
H10N97/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018139249A1
,2019-12-12
[2]
磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019150885A1
,2020-02-06
[3]
磁気抵抗素子の製造方法、及び磁気抵抗素子[ja]
[P].
日本专利
:JP6616803B2
,2019-12-04
[4]
磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009110608A1
,2011-07-14
[5]
磁気抵抗素子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006022183A1
,2008-05-08
[6]
磁気抵抗素子,磁気メモリ及び磁気抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7555200B2
,2024-09-24
[7]
磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造システム[ja]
[P].
日本专利
:JP6244402B2
,2017-12-06
[8]
磁気抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6072478B2
,2017-02-01
[9]
磁気抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017068611A1
,2017-10-19
[10]
磁気抵抗素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6917205B2
,2021-08-11
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