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磁気抵抗素子，磁気メモリ及び磁気抵抗素子の製造方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20200097602
申请日：
2020-06-04
公开(公告)号：
JP7555200B2
公开(公告)日：
2024-09-24
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10B61/00
IPC分类号：
H01L29/82
H10N50/10
H10N50/20
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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