シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ－型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ[ja]

被引：0

申请号：

JP20220200869

申请日：

2022-12-16

公开(公告)号：

JP2023029379A

公开(公告)日：

2023-03-03

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/338

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/265

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共 2 条

[1]

シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ－型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ[ja] [P].

SAPTHARISHI SRIRAM ;

ALEXANDER SUVOROV ;

CHRISTER HALLIN .

日本专利 :JP2024156010A ,2024-10-31

[2]

シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ−型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2019519121A ,2019-07-04