シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ−型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ[ja]

被引：0

申请号：

JP20180567202

申请日：

2017-06-23

公开(公告)号：

JP2019519121A

公开(公告)日：

2019-07-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/338

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/778 H01L29/812

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

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法律状态公告日

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法律状态信息

共 2 条

[1]

SAPTHARISHI SRIRAM ;

ALEXANDER SUVOROV ;

CHRISTER HALLIN .

日本专利 :JP2024156010A ,2024-10-31

[2]

日本专利 :JP2023029379A ,2023-03-03