オプトエレクトロニクス箔およびオプトエレクトロニクス箔の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20190539927

申请日：

2018-01-24

公开(公告)号：

JP2020505736A

公开(公告)日：

2020-02-20

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H05B33/02

IPC分类号：

B32B9/00 B32B15/04 H01L51/50 H05B33/10 H05B33/14

代理机构：

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共 50 条

[1]

オプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品[ja] [P].

日本专利 :JP2017527993A ,2017-09-21

[2]

オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019509636A ,2019-04-04

[3]

オプトエレクトロニクス半導体装置を製造する方法およびオプトエレクトロニクス半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP2018522405A ,2018-08-09

[4]

オプトエレクトロニクス半導体チップ[ja] [P].

日本专利 :JP2018519668A ,2018-07-19

[5]

ビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子[ja] [P].

日本专利 :JP2018518046A ,2018-07-05

[6]

有機エレクトロニクス材料及び有機エレクトロニクス素子[ja] [P].

KAMO KAZUYUKI ;

FUKUSHIMA IORI ;

MIYA TAKANORI ;

KUROSAWA SATOSHI .

日本专利 :JP2023178859A ,2023-12-18

[7]

有機エレクトロニクス材料、インク組成物、有機エレクトロニクス素子、及び有機エレクトロニクス素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018070019A1 ,2019-08-15

[8]

有機エレクトロニクス素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009066718A1 ,2011-04-07

[9]

オプトエレクトロニクスコンポーネント用の反射性コンタクト層システムおよびオプトエレクトロニクスコンポーネント用の反射性コンタクト層システムの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015529018A ,2015-10-01

[10]

有機エレクトロニクス材料、インク組成物、及び有機エレクトロニクス素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013081052A1 ,2015-04-27

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