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磁気抵抗素子、ＭＲＡＭ、及び磁気センサー[ja]
被引：0
申请号：
JP20090511808
申请日：
2008-04-15
公开(公告)号：
JPWO2008133107A1
公开(公告)日：
2010-07-22
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10N50/10
IPC分类号：
H01L21/8246
H01L27/105
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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