磁気抵抗素子、磁気センサ及び電流センサ[ja]

被引:0
申请号
JP20140145047
申请日
2014-07-15
公开(公告)号
JP6484940B2
公开(公告)日
2019-03-20
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H10N50/10
IPC分类号
G01R15/20 G01R33/09
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
磁気抵抗素子、磁気センサおよび電流センサ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015182645A1 ,2017-04-20
[2]
磁気抵抗素子、磁気センサおよび電流センサ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015182644A1 ,2017-04-20
[5]
磁気抵抗素子、および磁気センサ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6569824B2 ,2019-09-04
[6]
磁気抵抗素子および磁気センサ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020208907A1 ,2021-11-11
[7]
磁気抵抗素子および磁気センサ[ja] [P]. 
日本专利 :JP7136340B2 ,2022-09-13
[8]
磁気抵抗素子、および磁気センサ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018116743A1 ,2019-10-24
[9]
磁気抵抗素子、MRAM、及び磁気センサー[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008133107A1 ,2010-07-22
[10]
磁気センサ及び電流センサ[ja] [P]. 
USHIDA SAKI ;
INOUE MASAHITO .
日本专利 :JP2025062570A ,2025-04-14