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高周波半導体装置及び高周波半導体装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120283267
申请日
:
2012-12-26
公开(公告)号
:
JP5978986B2
公开(公告)日
:
2016-08-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L27/12
IPC分类号
:
H01L21/02
H01L21/336
H01L21/76
H01L21/822
H01L21/8234
H01L27/04
H01L27/06
H01L27/08
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6490541B2
,2019-03-27
[2]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6373779B2
,2018-08-15
[3]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5892770B2
,2016-03-23
[4]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7239023B2
,2023-03-14
[5]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6557561B2
,2019-08-07
[6]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6426498B2
,2018-11-21
[7]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6462535B2
,2019-01-30
[8]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6203103B2
,2017-09-27
[9]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5658874B2
,2015-01-28
[10]
高周波半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6268132B2
,2018-01-24
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