高周波半導体装置及び高周波半導体装置の製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20120283267
申请日
2012-12-26
公开(公告)号
JP5978986B2
公开(公告)日
2016-08-24
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L27/12
IPC分类号
H01L21/02 H01L21/336 H01L21/76 H01L21/822 H01L21/8234 H01L27/04 H01L27/06 H01L27/08 H01L29/786
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
高周波半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6490541B2 ,2019-03-27
[2]
高周波半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6373779B2 ,2018-08-15
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高周波半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5892770B2 ,2016-03-23
[4]
高周波半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7239023B2 ,2023-03-14
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高周波半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6557561B2 ,2019-08-07
[6]
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日本专利 :JP6426498B2 ,2018-11-21
[7]
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日本专利 :JP6462535B2 ,2019-01-30
[8]
高周波半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6203103B2 ,2017-09-27
[9]
高周波半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5658874B2 ,2015-01-28
[10]
高周波半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6268132B2 ,2018-01-24