基板処理装置、ヒータ装置、半導体装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20190541540

申请日：

2017-09-13

公开(公告)号：

JPWO2019053807A1

公开(公告)日：

2020-03-26

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/31

IPC分类号：

C23C16/46 H01L21/318

代理机构：

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共 50 条

[1]

基板処理装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008016143A1 ,2009-12-24

[2]

基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム[ja] [P].

USUKI KENSHIRO ;

IKEDA YUMA ;

NAKAGAWA RYUICHI ;

YAMAZAKI HIROHISA .

日本专利 :JP2025064221A ,2025-04-17

[3]

基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022132676A ,2022-09-09

[4]

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

ARAKAWA SHOHEI ;

OSADA YUTA .

日本专利 :JP2024044633A ,2024-04-02

[5]

基板処理装置、半導体装置の製造方法および炉口部カバー[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015146362A1 ,2017-04-13

[6]

保護プレート、基板処理装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019044013A1 ,2020-03-26

[7]

半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラムおよび基板処理装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020188632A1 ,2021-12-02

[8]

基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004075272A1 ,2006-06-01

[9]

半導体装置の製造方法および製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012063901A1 ,2014-05-12

[10]

処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019186616A1 ,2021-04-08

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