半導体装置及び半導体素子保護用材料[ja]

被引：0

申请号：

JP20160553906

申请日：

2016-08-16

公开(公告)号：

JPWO2017030126A1

公开(公告)日：

2017-08-17

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L23/29

IPC分类号：

C08G59/62 C08K3/00 C08L63/00 C08L83/04 H01L23/31

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共 50 条

[1]

半導体素子保護用材料及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016010067A1 ,2017-04-27

[2]

半導体素子保護用材料及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP5766867B1 ,2015-08-19

[3]

半導体基体及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017145199A1 ,2018-12-06

[4]

半導体素子の製造方法及び半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP7659708B1 ,2025-04-09

[5]

半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020137283A1 ,2021-11-11

[6]

半導体発光素子及び半導体発光素子組立体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016147512A1 ,2017-12-28

[7]

半導体製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006111804A1 ,2008-11-20

[8]

半導体光素子[ja] [P].

OKIMOTO TAKUYA ;

YONEDA MASAHIRO .

日本专利 :JP2024000706A ,2024-01-09

[9]

半導体素子基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011040324A1 ,2013-02-28

[10]

半導体光素子[ja] [P].

FUJIWARA NAOKI ;

KATO TAKASHI ;

TAKADA KENJI ;

AOKI TAKESHI ;

YOSHIMOTO SUSUMU ;

ITO TOMOKI .

日本专利 :JP2025059182A ,2025-04-10

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