ペンタセン付加体及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20100545792

申请日：

2010-01-08

公开(公告)号：

JPWO2010079828A1

公开(公告)日：

2012-06-28

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C07C49/665

IPC分类号：

C07C45/65 C07C45/69 C07D307/77 C07D513/08 C07F7/10

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

カバー付センサ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010113477A1 ,2012-10-04

[2]

半導体センサ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004077585A1 ,2006-06-08

[3]

光センサ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010038785A1 ,2012-03-01

[4]

センサ装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016129288A1 ,2017-08-24

[5]

ガスセンサ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025165172A ,2025-11-04

[6]

ガスセンサ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018159348A1 ,2020-01-09

[7]

セレンテラジン類縁体及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010090319A1 ,2012-08-09

[8]

ペンタミジンの類似体及びその使用[ja] [P].

日本专利 :JP2022514685A ,2022-02-14

[9]

ペンタミジンの類似体及びその使用[ja] [P].

GREGORY R LUEDTKE ;

ANDREW ASHER PROTTER ;

ANNA HALBERG ;

PEK YEE LUM ;

RAJAA SUKHUN ;

SIDNEY PAUL ELMER ;

CHANG HAK JIN .

日本专利 :JP2025081626A ,2025-05-27

[10]

フッ素化されたペンタセン誘導体及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005042445A1 ,2007-08-23

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