半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]

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申请号
JP20200519204
申请日
2019-05-08
公开(公告)号
JPWO2019220266A1
公开(公告)日
2021-06-10
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
H01L21/28 H01L21/3205 H01L21/336 H01L21/768 H01L21/8234 H01L23/522 H01L23/532 H01L27/088 H01L29/41 H01L29/417 H01L29/423 H01L29/49 H10B12/00 H10B41/70 H10B99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020084406A1 ,2021-10-28
[2]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020115595A1 ,2021-12-23
[3]
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日本专利 :JPWO2019048983A1 ,2020-10-15
[4]
半導体装置および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004040648A1 ,2006-03-02
[5]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018224912A1 ,2020-06-25
[6]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
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[7]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
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[8]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019171196A1 ,2021-02-25
[9]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019145813A1 ,2021-01-07
[10]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P]. 
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