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半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200519204
申请日
:
2019-05-08
公开(公告)号
:
JPWO2019220266A1
公开(公告)日
:
2021-06-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L21/3205
H01L21/336
H01L21/768
H01L21/8234
H01L23/522
H01L23/532
H01L27/088
H01L29/41
H01L29/417
H01L29/423
H01L29/49
H10B12/00
H10B41/70
H10B99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020084406A1
,2021-10-28
[2]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020115595A1
,2021-12-23
[3]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019048983A1
,2020-10-15
[4]
半導体装置および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004040648A1
,2006-03-02
[5]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018224912A1
,2020-06-25
[6]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019111091A1
,2020-12-03
[7]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020109923A1
,2021-12-09
[8]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019171196A1
,2021-02-25
[9]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019145813A1
,2021-01-07
[10]
半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020049420A1
,2021-08-26
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