光電素子用基板およびこれを含む光電素子[ja]

被引：0

申请号：

JP20160523663

申请日：

2014-07-02

公开(公告)号：

JP2016528674A

公开(公告)日：

2016-09-15

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H05B33/02

IPC分类号：

H01L31/0236 H01L51/44 H01L51/50

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法律状态信息

共 50 条

[1]

電気化学素子用電極、その製造方法、およびこれを含む電気化学素子[ja] [P].

日本专利 :JP2018514900A ,2018-06-07

[2]

光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011083694A1 ,2013-05-13

[3]

光電変換素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011083674A1 ,2013-05-13

[4]

光電変換素子及び光電変換装置[ja] [P].

OSAWA TATSUYA ;

NISHIDA TAKESHI ;

TOGUCHI KANAME ;

KITAHARA MICHITAKA ;

MURANAKA NORIBUMI .

日本专利 :JP2025074037A ,2025-05-13

[5]

半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子用基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017126569A1 ,2018-11-08

[6]

集電体、該集電体を含む電気化学装置および電子装置[ja] [P].

日本专利 :JP2023522240A ,2023-05-29

[7]

半導体成長用基板、半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025174756A ,2025-11-28

[8]

負極集電体及びそれを含む金属電池[ja] [P].

日本专利 :JP2024507750A ,2024-02-21

[9]

光異化性化合物およびそれを含むデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2019524641A ,2019-09-05

[10]

集光装置、固体撮像素子および撮像装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014083836A1 ,2017-01-05

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