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化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150162198
申请日
:
2015-08-19
公开(公告)号
:
JP6450282B2
公开(公告)日
:
2019-01-09
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B29/36
IPC分类号
:
C23C16/04
C23C16/42
C30B25/04
C30B25/18
H01L21/205
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JP6925117B2
,2021-08-25
[2]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7726426B1
,2025-08-20
[3]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7550557B2
,2024-09-13
[4]
化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7248410B2
,2023-03-29
[5]
化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6622106B2
,2019-12-18
[6]
化合物半導体基板、半導体装置及び化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6557538B2
,2019-08-07
[7]
化合物半導体基板、化合物半導体基板の製造方法及び半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009035079A1
,2010-12-24
[8]
化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6825923B2
,2021-02-03
[9]
化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6450086B2
,2019-01-09
[10]
化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6753703B2
,2020-09-09
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