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化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180206717
申请日
:
2018-11-01
公开(公告)号
:
JP7248410B2
公开(公告)日
:
2023-03-29
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/338
IPC分类号
:
H01L29/778
H01L29/812
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6622106B2
,2019-12-18
[2]
化合物半導体基板、半導体装置及び化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6557538B2
,2019-08-07
[3]
化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JP6925117B2
,2021-08-25
[4]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6450282B2
,2019-01-09
[5]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7726426B1
,2025-08-20
[6]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7550557B2
,2024-09-13
[7]
化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6485382B2
,2019-03-20
[8]
化合物半導体装置及び化合物半導体製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006114999A1
,2008-12-18
[9]
化合物半導体装置及び化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6790868B2
,2020-11-25
[10]
化合物半導体装置及び化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5923242B2
,2016-05-24
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