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化合物半導体装置及び化合物半導体装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110025545
申请日
:
2011-02-09
公开(公告)号
:
JP5923242B2
公开(公告)日
:
2016-05-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/338
IPC分类号
:
H01L21/20
H01L21/76
H01L29/778
H01L29/812
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物半導体装置及び化合物半導体製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006114999A1
,2008-12-18
[2]
化合物半導体装置及び化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6790868B2
,2020-11-25
[3]
化合物半導体装置、及び化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6720775B2
,2020-07-08
[4]
化合物半導体装置及び化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7707724B2
,2025-07-15
[5]
化合物半導体装置の製造方法及び化合物半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5635803B2
,2014-12-03
[6]
化合物半導体装置、及び化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6711233B2
,2020-06-17
[7]
化合物半導体の製造装置及び化合物半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5644256B2
,2014-12-24
[8]
化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7248410B2
,2023-03-29
[9]
化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6622106B2
,2019-12-18
[10]
化合物半導体基板、半導体装置及び化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6557538B2
,2019-08-07
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