化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20160032291
申请日
2016-02-23
公开(公告)号
JP6485382B2
公开(公告)日
2019-03-20
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L21/20 H01L21/265 H01L21/329 H01L29/06 H01L29/12 H01L29/47 H01L29/78 H01L29/872
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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