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磁気抵抗素子および記憶回路[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170521945
申请日
:
2016-05-31
公开(公告)号
:
JPWO2016194886A1
公开(公告)日
:
2018-03-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N50/10
IPC分类号
:
H01L21/8239
H01L21/8244
H01L27/105
H01L27/11
H01L29/82
H10N30/20
H10N50/80
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
磁気抵抗素子および記憶回路[ja]
[P].
日本专利
:JP6424272B2
,2018-11-14
[2]
磁気抵抗素子及び磁気記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008090696A1
,2010-05-13
[3]
磁気抵抗素子及び磁気記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6365901B2
,2018-08-01
[4]
磁気抵抗素子及び磁気記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5824907B2
,2015-12-02
[5]
磁気抵抗素子およびそれを用いる記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010073790A1
,2012-06-14
[6]
磁気抵抗素子とその製造方法、および磁気記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6155673B2
,2017-07-05
[7]
磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP6411186B2
,2018-10-24
[8]
磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP6180972B2
,2017-08-16
[9]
磁気抵抗素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003092083A1
,2005-09-02
[10]
磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP6054326B2
,2016-12-27
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