磁気抵抗素子および記憶回路[ja]

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申请号
JP20170521945
申请日
2016-05-31
公开(公告)号
JPWO2016194886A1
公开(公告)日
2018-03-15
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H10N50/10
IPC分类号
H01L21/8239 H01L21/8244 H01L27/105 H01L27/11 H01L29/82 H10N30/20 H10N50/80
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
磁気抵抗素子および記憶回路[ja] [P]. 
日本专利 :JP6424272B2 ,2018-11-14
[2]
磁気抵抗素子及び磁気記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008090696A1 ,2010-05-13
[3]
磁気抵抗素子及び磁気記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6365901B2 ,2018-08-01
[4]
磁気抵抗素子及び磁気記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5824907B2 ,2015-12-02
[5]
磁気抵抗素子およびそれを用いる記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010073790A1 ,2012-06-14
[7]
磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6411186B2 ,2018-10-24
[8]
磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6180972B2 ,2017-08-16
[9]
磁気抵抗素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003092083A1 ,2005-09-02
[10]
磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6054326B2 ,2016-12-27