黒リン結晶及びその製造方法、光電検出器、二次元黒リンＰＮ接合及びその製造方法並びに使用[ja]

被引：0

申请号：

JP20180551438

申请日：

2016-12-28

公开(公告)号：

JP6810753B2

公开(公告)日：

2021-01-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/02

IPC分类号：

C01B25/02 C30B1/02 H01L21/329 H01L29/24 H01L29/861 H01L29/868 H01L31/068

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

高い光電応答率を有する黒リン結晶、二次元黒リンＰＮ接合及びその製造方法並びに応用[ja] [P].

日本专利 :JP2019516650A ,2019-06-20

[2]

二次元画像検出器及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013031128A1 ,2015-03-23

[3]

二次元画像検出装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006046434A1 ,2008-05-22

[4]

二次元放射線検出器の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6163936B2 ,2017-07-19

[5]

二次元シンボル及びその印刷方法[ja] [P].

日本专利 :JP5715543B2 ,2015-05-07

[6]

膜及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022515165A ,2022-02-17

[7]

画像センサ及びその製造方法[ja] [P].

JEHN-HUAR CHERN ;

ALI R EHSANI ;

GILDARDO DELGADO ;

DAVID L BROWN ;

YUNG-HO ALEX CHUANG ;

FIELDEN JOHN .

日本专利 :JP2025105850A ,2025-07-10

[8]

六方晶構造の二次元膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020506150A ,2020-02-27

[9]

六方晶構造の二次元膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7341059B2 ,2023-09-08

[10]

二次元物質を含む半導体素子及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7076938B2 ,2022-05-30

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