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半導体装置及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090503839
申请日
:
2007-03-14
公开(公告)号
:
JPWO2008111199A1
公开(公告)日
:
2010-06-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B20/00
IPC分类号
:
H10B69/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013168314A1
,2015-12-24
[2]
半導体記憶装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006059368A1
,2008-06-05
[3]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6258538B1
,2018-01-10
[4]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017135094A1
,2018-02-08
[5]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018159115A1
,2019-12-19
[6]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018193554A1
,2019-06-27
[7]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6396598B1
,2018-09-26
[8]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6235190B1
,2017-11-22
[9]
半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008139860A1
,2010-07-29
[10]
半導体パッケージ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015182576A1
,2017-04-20
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