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半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130516886
申请日
:
2012-11-28
公开(公告)号
:
JPWO2013168314A1
公开(公告)日
:
2015-12-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/316
IPC分类号
:
C03C3/093
H01L21/329
H01L29/06
H01L29/74
H01L29/861
H01L29/868
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013153777A1
,2015-12-17
[2]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
KABUYANAGI SHOICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
KABUYANAGI SHOICHI
;
SUGIZAKI TAKESHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
SUGIZAKI TAKESHI
;
FUJII AKISUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
FUJII AKISUKE
.
日本专利
:JP2023180904A
,2023-12-21
[3]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012160961A1
,2014-07-31
[4]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
SHIMIZU TATSUO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
SHIMIZU TATSUO
.
日本专利
:JP2025042573A
,2025-03-27
[5]
半導体装置、半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025146038A
,2025-10-03
[6]
半導体装置、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025144693A
,2025-10-03
[7]
半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体装置の製造装置及び記憶媒体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012173067A1
,2015-02-23
[8]
半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
YAMAZAKI SHUNPEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
YAMAZAKI SHUNPEI
.
日本专利
:JP2023001235A
,2023-01-04
[9]
半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017182910A1
,2019-02-21
[10]
半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025012733A
,2025-01-24
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