半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20240026554

申请日：

2024-02-26

公开(公告)号：

JP2025042573A

公开(公告)日：

2025-03-27

发明(设计)人：

SHIMIZU TATSUO

申请人：

TOSHIBA CORP

申请人地址：

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D12/00 H10D30/66

代理机构：

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共 50 条

[1]

半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013153777A1 ,2015-12-17

[2]

半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

KABUYANAGI SHOICHI ;

SUGIZAKI TAKESHI ;

FUJII AKISUKE .

日本专利 :JP2023180904A ,2023-12-21

[3]

半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013168314A1 ,2015-12-24

[4]

半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012160961A1 ,2014-07-31

[5]

半導体装置、半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025146038A ,2025-10-03

[6]

半導体装置、半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025144693A ,2025-10-03

[7]

半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体装置の製造装置及び記憶媒体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012173067A1 ,2015-02-23

[8]

半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI .

日本专利 :JP2023001235A ,2023-01-04

[9]

半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017182910A1 ,2019-02-21

[10]

半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025012733A ,2025-01-24

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