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半導体用途のための高純度エチレンジアミン[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190502749
申请日
:
2017-07-20
公开(公告)号
:
JP2019524746A
公开(公告)日
:
2019-09-05
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07C211/10
IPC分类号
:
C07C209/84
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
高純度キシリレンジアミンの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006001298A1
,2008-04-17
[2]
エチレンアミンの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021500383A
,2021-01-07
[3]
エチレンジアミン四酢酸の作製[ja]
[P].
日本专利
:JP2022536735A
,2022-08-18
[4]
エチレンアミン化合物を調製するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020529455A
,2020-10-08
[5]
エチレンアミン化合物を製造するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022521697A
,2022-04-12
[6]
微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019511839A
,2019-04-25
[7]
微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6754842B2
,2020-09-16
[8]
キシリレンジアミンの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020189227A1
,2021-04-01
[9]
キシリレンジアミンの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6806290B1
,2021-01-06
[10]
エチレンの四量体化のためのクロムホスフィニルイソインドリアミジン錯体[ja]
[P].
日本专利
:JP2024538360A
,2024-10-18
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