半導体用途のための高純度エチレンジアミン[ja]

被引:0
申请号
JP20190502749
申请日
2017-07-20
公开(公告)号
JP2019524746A
公开(公告)日
2019-09-05
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C07C211/10
IPC分类号
C07C209/84
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
高純度キシリレンジアミンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006001298A1 ,2008-04-17
[2]
エチレンアミンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021500383A ,2021-01-07
[3]
エチレンジアミン四酢酸の作製[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022536735A ,2022-08-18
[4]
エチレンアミン化合物を調製するための方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2020529455A ,2020-10-08
[5]
エチレンアミン化合物を製造するための方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022521697A ,2022-04-12
[8]
キシリレンジアミンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020189227A1 ,2021-04-01
[9]
キシリレンジアミンの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6806290B1 ,2021-01-06