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磁性体装置及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090500065
申请日
:
2007-12-04
公开(公告)号
:
JPWO2008102499A1
公开(公告)日
:
2010-05-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N50/10
IPC分类号
:
H01L21/8246
H01L27/105
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009145161A1
,2011-10-13
[2]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008108109A1
,2010-06-10
[3]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004006335A1
,2005-11-10
[4]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004114409A1
,2006-08-03
[5]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008120482A1
,2010-07-15
[6]
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012137911A1
,2014-07-28
[7]
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009122990A1
,2011-07-28
[8]
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009060749A1
,2011-03-24
[9]
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007013295A1
,2009-02-05
[10]
磁壁移動素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009101827A1
,2011-06-09
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