磁性体装置及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]

被引:0
申请号
JP20090500065
申请日
2007-12-04
公开(公告)号
JPWO2008102499A1
公开(公告)日
2010-05-27
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H10N50/10
IPC分类号
H01L21/8246 H01L27/105
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009145161A1 ,2011-10-13
[2]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008108109A1 ,2010-06-10
[3]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004006335A1 ,2005-11-10
[4]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004114409A1 ,2006-08-03
[5]
磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008120482A1 ,2010-07-15
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
磁壁移動素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009101827A1 ,2011-06-09