磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]

被引:0
申请号
JP20100505748
申请日
2009-03-26
公开(公告)号
JPWO2009122990A1
公开(公告)日
2011-07-28
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/8246
IPC分类号
H10N50/10 H01L27/105 H01L29/82
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
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磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019187800A1 ,2021-06-17
[5]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016117664A1 ,2017-11-02
[6]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016182085A1 ,2018-04-12
[7]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006046591A1 ,2008-05-22
[8]
磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016021468A1 ,2017-05-25
[9]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009145161A1 ,2011-10-13
[10]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008108109A1 ,2010-06-10