磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置[ja]

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申请号
JP20160540177
申请日
2015-07-29
公开(公告)号
JPWO2016021468A1
公开(公告)日
2017-05-25
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H10N50/10
IPC分类号
G11C11/15 H01L21/8246 H01L27/105 H01L29/82 H10N50/80
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019187800A1 ,2021-06-17
[2]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016117664A1 ,2017-11-02
[3]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016182085A1 ,2018-04-12
[4]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006046591A1 ,2008-05-22
[5]
[7]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022089885A ,2022-06-16
[8]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022132288A ,2022-09-08
[9]
磁気メモリ素子、磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010087389A1 ,2012-08-02
[10]
磁気メモリ素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012160937A1 ,2014-07-31