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磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20060543199
申请日
:
2005-10-26
公开(公告)号
:
JPWO2006046591A1
公开(公告)日
:
2008-05-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G11B5/39
IPC分类号
:
H01L21/8246
H01L27/105
H10N50/10
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019187800A1
,2021-06-17
[2]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016117664A1
,2017-11-02
[3]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016182085A1
,2018-04-12
[4]
磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016021468A1
,2017-05-25
[5]
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び磁気記憶方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015068509A1
,2017-03-09
[6]
磁気抵抗効果素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2022089885A
,2022-06-16
[7]
磁気メモリ素子、磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010087389A1
,2012-08-02
[8]
磁気メモリ素子および磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012160937A1
,2014-07-31
[9]
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009122990A1
,2011-07-28
[10]
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009060749A1
,2011-03-24
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