磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置[ja]

被引:0
申请号
JP20060543199
申请日
2005-10-26
公开(公告)号
JPWO2006046591A1
公开(公告)日
2008-05-22
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
G11B5/39
IPC分类号
H01L21/8246 H01L27/105 H10N50/10
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019187800A1 ,2021-06-17
[2]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016117664A1 ,2017-11-02
[3]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016182085A1 ,2018-04-12
[4]
磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016021468A1 ,2017-05-25
[5]
[6]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022089885A ,2022-06-16
[7]
磁気メモリ素子、磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010087389A1 ,2012-08-02
[8]
磁気メモリ素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012160937A1 ,2014-07-31
[9]
[10]