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磁気抵抗効果素子、磁気メモリアレイ、磁気メモリ装置及び磁気抵抗効果素子の書き込み方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20200518206
申请日：
2019-04-10
公开(公告)号：
JPWO2019216099A1
公开(公告)日：
2021-06-10
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L29/82
IPC分类号：
G11C11/16
H01L21/8239
H01L27/105
H10N50/10
H10N50/80
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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