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磁性積層膜、磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180520674
申请日
:
2017-03-21
公开(公告)号
:
JPWO2017208576A1
公开(公告)日
:
2019-04-11
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L43/08
IPC分类号
:
C23C14/14
H01L21/8239
H01L27/105
H01L29/82
H01L43/10
H01L43/12
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 37 条
[1]
磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016021468A1
,2017-05-25
[2]
磁気抵抗効果素子、磁気メモリアレイ、磁気メモリ装置及び磁気抵抗効果素子の書き込み方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019216099A1
,2021-06-10
[3]
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ装置並びに磁気メモリ装置の書き込み及び読み出し方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019203132A1
,2021-07-15
[4]
磁性細線メモリ及び磁性細線メモリの駆動方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025177323A
,2025-12-05
[5]
スピン流磁化反転素子、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁化反転方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022185126A
,2022-12-13
[6]
積層型スピン軌道トルク磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024531525A
,2024-08-29
[7]
2ビット磁気抵抗ランダムアクセスメモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2023549109A
,2023-11-22
[8]
セメント添加物及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021502321A
,2021-01-28
[9]
ポリエン化合物、その製造方法及びその応用[ja]
[P].
日本专利
:JP2018521981A
,2018-08-09
[10]
ラキニモドナトリウムの結晶およびその製造のための改善された方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016514162A
,2016-05-19
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