フィン型半導体デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20160501582

申请日：

2014-03-12

公开(公告)号：

JP2016516302A

公开(公告)日：

2016-06-02

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/8234

IPC分类号：

H01L21/265 H01L21/336 H01L21/8238 H01L27/088 H01L27/092 H01L29/78

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共 50 条

[1]

半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

DAVID LYSACEK ;

JAN HYBL ;

DUSAN POSTULKA ;

JURAJ JARINA ;

VIT JANIREK ;

ALEXANDRA SENKOVA .

日本专利 :JP2024031904A ,2024-03-07

[2]

パワー半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2018511163A ,2018-04-19

[3]

酸化物半導体膜および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6551414B2 ,2019-07-31

[4]

酸化物半導体膜および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016121152A1 ,2017-09-28

[5]

トランジスタ及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7721837B1 ,2025-08-12

[6]

トランジスタ及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7714834B1 ,2025-07-29

[7]

トランジスタ及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7715966B1 ,2025-07-30

[8]

デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19

[9]

半導体デバイスの製造プロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2014530477A ,2014-11-17

[10]

酸化物焼結体および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6255813B2 ,2018-01-10

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