組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20170537825

申请日：

2016-08-26

公开(公告)号：

JPWO2017038664A1

公开(公告)日：

2018-06-14

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C08L79/00

IPC分类号：

C08F2/44 C08F2/50 G03F7/004 G03F7/027 G03F7/031 G03F7/037 G03F7/038

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共 50 条

[1]

樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020080217A1 ,2021-09-30

[2]

樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020066976A1 ,2021-09-24

[3]

熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015199220A1 ,2017-04-27

[4]

半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

KAMIKAWA TAKESHI ;

TANIGUCHI YUKI ;

HAYASHI YUICHIRO ;

MISHIMA KOSUKE .

日本专利 :JP2025081377A ,2025-05-27

[5]

ＧａＡｓ半導体デバイス製造装置、ＧａＡｓ半導体デバイス製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025171845A ,2025-11-20

[6]

硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス[ja] [P].

ASAKAWA DAISUKE .

日本专利 :JP2024045129A ,2024-04-02

[7]

硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020195993A1 ,2021-12-23

[8]

硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020196363A1 ,2021-12-23

[9]

デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19

[10]

膜の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、および膜形成用組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019163860A1 ,2021-02-12

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