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ウェーハの加工方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220125778
申请日
:
2022-08-05
公开(公告)号
:
JP2022172109A
公开(公告)日
:
2022-11-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/301
IPC分类号
:
B23K26/53
B24B7/00
B24B7/04
B24B37/10
B28D5/00
B28D7/04
H01L21/304
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
シリコンウェーハの加工方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025004585A
,2025-01-15
[2]
ウエーハの加工方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025160609A
,2025-10-23
[3]
ウエーハの加工方法[ja]
[P].
OMAE MAKIKO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
OMAE MAKIKO
;
KOIKE KAZUHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
KOIKE KAZUHIRO
.
日本专利
:JP2025115492A
,2025-08-07
[4]
ウエーハの加工方法[ja]
[P].
NAKAMURA MASARU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYST LTD
DISCO ABRASIVE SYST LTD
NAKAMURA MASARU
.
日本专利
:JP2024129249A
,2024-09-27
[5]
ウエーハの加工方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025008008A
,2025-01-20
[6]
ウエーハの加工方法[ja]
[P].
HIROSE TSUBASA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
HIROSE TSUBASA
.
日本专利
:JP2025076008A
,2025-05-15
[7]
半導体ウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7131724B1
,2022-09-06
[8]
半導体結晶ウェハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7679948B1
,2025-05-20
[9]
半導体結晶ウェハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025159904A
,2025-10-22
[10]
ウェハー及びフィルムフレームの両方のための単一超平坦ウェハーテーブル構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2015528643A
,2015-09-28
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