ウェーハの加工方法[ja]

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申请号
JP20220125778
申请日
2022-08-05
公开(公告)号
JP2022172109A
公开(公告)日
2022-11-15
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/301
IPC分类号
B23K26/53 B24B7/00 B24B7/04 B24B37/10 B28D5/00 B28D7/04 H01L21/304
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
シリコンウェーハの加工方法[ja] [P]. 
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[2]
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[3]
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OMAE MAKIKO ;
KOIKE KAZUHIRO .
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[4]
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[5]
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[6]
ウエーハの加工方法[ja] [P]. 
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[7]
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[8]
半導体結晶ウェハの製造方法[ja] [P]. 
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[9]
半導体結晶ウェハの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025159904A ,2025-10-22