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半極性自立基板の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200540213
申请日
:
2019-08-07
公开(公告)号
:
JPWO2020045005A1
公开(公告)日
:
2021-08-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C30B29/38
IPC分类号
:
C23C16/34
C30B25/20
H01L21/205
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
基板の製造方法[ja]
[P].
SASAOKA NORIFUMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
SASAOKA NORIFUMI
;
KAWAMATA TAKASHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
NICHIA KAGAKU KOGYO KK
KAWAMATA TAKASHI
.
日本专利
:JP2025058855A
,2025-04-09
[2]
圧電基板の製造方法[ja]
[P].
NAGANO DAISUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEIKO EPSON CORP
SEIKO EPSON CORP
NAGANO DAISUKE
.
日本专利
:JP2024128362A
,2024-09-24
[3]
半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013089142A1
,2015-04-27
[4]
半導体片の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5773049B1
,2015-09-02
[5]
ガラス基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016152932A1
,2017-07-06
[6]
円盤状基板の製造方法、及び円盤状基板の製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025154327A
,2025-10-10
[7]
円盤状基板の製造方法、及び円盤状基板の製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7601276B1
,2024-12-17
[8]
半透膜支持体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023009107A
,2023-01-19
[9]
吸収性物品の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5945056B1
,2016-07-05
[10]
撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013179765A1
,2016-01-18
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