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半導体層の製造方法、および光電変換装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110546170
申请日
:
2010-12-16
公开(公告)号
:
JPWO2011074645A1
公开(公告)日
:
2013-04-25
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L31/04
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012114879A1
,2014-07-07
[2]
半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体原料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013002057A1
,2015-02-23
[3]
半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体層形成用溶液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011093278A1
,2013-06-06
[4]
半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体形成用原料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013054623A1
,2015-03-30
[5]
錯体化合物、半導体層形成用原料、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013129466A1
,2015-07-30
[6]
錯体化合物、半導体層形成用原料、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5744312B2
,2015-07-08
[7]
カルコゲン化合物半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011052616A1
,2013-03-21
[8]
化合物粒子、化合物粒子の製造方法、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5687367B2
,2015-03-18
[9]
化合物粒子、化合物粒子の製造方法、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013122165A1
,2015-05-18
[10]
光電変換膜の製造方法と光電変換素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022176313A
,2022-11-25
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