半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体形成用原料[ja]

被引：0

申请号：

JP20130538477

申请日：

2012-09-11

公开(公告)号：

JPWO2013054623A1

公开(公告)日：

2015-03-30

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L31/0749

IPC分类号：

H01L21/368 H01L31/18

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共 50 条

[1]

半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体層形成用溶液[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011093278A1 ,2013-06-06

[2]

半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012114879A1 ,2014-07-07

[3]

半導体層の製造方法、および光電変換装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011074645A1 ,2013-04-25

[4]

錯体化合物、半導体層形成用原料、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013129466A1 ,2015-07-30

[5]

錯体化合物、半導体層形成用原料、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5744312B2 ,2015-07-08

[6]

化合物半導体の製造方法および光電変換装置の製造方法ならびに半導体形成用溶液[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011013657A1 ,2013-01-07

[7]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020031636A1 ,2021-08-12

[8]

半導体装置の製造方法および半導体基板[ja] [P].

AMANO HIROSHI ;

O YOSHI ;

LIN YINGYING .

日本专利 :JP2025118239A ,2025-08-13

[9]

半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P].

TANAKA HAJIME .

日本专利 :JP2025036957A ,2025-03-17

[10]

半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025150252A ,2025-10-09

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