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化合物半導体の製造方法および光電変換装置の製造方法ならびに半導体形成用溶液[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100546972
申请日
:
2010-07-27
公开(公告)号
:
JPWO2011013657A1
公开(公告)日
:
2013-01-07
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/208
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体層形成用溶液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011093278A1
,2013-06-06
[2]
半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体形成用原料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013054623A1
,2015-03-30
[3]
錯体化合物、半導体層形成用原料、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013129466A1
,2015-07-30
[4]
半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012114879A1
,2014-07-07
[5]
化合物粒子、化合物粒子の製造方法、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013122165A1
,2015-05-18
[6]
錯体化合物、半導体層形成用原料、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5744312B2
,2015-07-08
[7]
半導体層の製造方法、および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011074645A1
,2013-04-25
[8]
化合物半導体の製造装置及び化合物半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5644256B2
,2014-12-24
[9]
化合物粒子、化合物粒子の製造方法、半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5687367B2
,2015-03-18
[10]
化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6485382B2
,2019-03-20
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