成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体電子素子の製造方法、半導体電子素子、照明装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20160537730

申请日：

2015-07-09

公开(公告)号：

JPWO2016017078A1

公开(公告)日：

2017-05-25

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/203

IPC分类号：

C23C14/34 C23C14/54 H01L21/363 H01L33/28 H01L33/32

代理机构：

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法律状态：

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共 50 条

[1]

成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体電子素子の製造方法、半導体電子素子、照明装置[ja] [P].

日本专利 :JP6196384B2 ,2017-09-13

[2]

成膜方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置[ja] [P].

日本专利 :JP6063035B2 ,2017-01-18

[3]

成膜方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014141601A1 ,2017-02-16

[4]

成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013061572A1 ,2015-04-02

[5]

成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置[ja] [P].

日本专利 :JP5819978B2 ,2015-11-24

[6]

エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011136016A1 ,2013-07-18

[7]

半導体発光素子の製造システム[ja] [P].

NAKAJIMA RYU ;

MATSUKURA YUSUKE ;

SHIBATA NAOKI ;

FUKAHORI SHINYA ;

PERNO SILYL .

日本专利 :JP2025019191A ,2025-02-06

[8]

半導体レーザ素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017115792A1 ,2018-10-25

[9]

半導体製造装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025140804A ,2025-09-29

[10]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025132859A ,2025-09-10

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