半導体製造装置および半導体装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240040389

申请日：

2024-03-14

公开(公告)号：

JP2025140804A

公开(公告)日：

2025-09-29

发明(设计)人：

申请人：

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IPC主分类号：

H01L21/52

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体製造装置、検査装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025148155A ,2025-10-07

[2]

半導体製造装置、エッジの検出方法および半導体装置の製造方法[ja] [P].

KOBASHI HIDEHARU .

日本专利 :JP2024120328A ,2024-09-05

[3]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015162786A1 ,2017-04-13

[4]

実装装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

SAKAI KAZUNOBU ;

ISHIKAWA TAKEHIRO .

日本专利 :JP2024019446A ,2024-02-09

[5]

実装装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

KOBASHI HIDEHARU .

日本专利 :JP2024016319A ,2024-02-07

[6]

半導体発光装置、その製造方法、および、照明装置[ja] [P].

日本专利 :JP6134131B2 ,2017-05-24

[7]

半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置[ja] [P].

日本专利 :JP6697720B2 ,2020-05-27

[8]

半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置[ja] [P].

日本专利 :JP5743184B2 ,2015-07-01

[9]

半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004023569A1 ,2006-01-05

[10]

成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体電子素子の製造方法、半導体電子素子、照明装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016017078A1 ,2017-05-25

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