半導体構造体および半導体構造体を製造する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200510609

申请日：

2018-08-03

公开(公告)号：

JP2020532124A

公开(公告)日：

2020-11-05

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/76

IPC分类号：

H01L21/265 H01L21/316

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共 50 条

[1]

半導体構造および半導体構造を形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016502756A ,2016-01-28

[2]

半導体構造および方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022529804A ,2022-06-24

[3]

半導体構造を製作する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019528566A ,2019-10-10

[4]

積層構造体および半導体素子[ja] [P].

ANDO HIROYUKI ;

TSUKAMOTO NAOYUKI ;

KATO YUJI .

日本专利 :JP2024129608A ,2024-09-27

[5]

半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013153777A1 ,2015-12-17

[6]

半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008139860A1 ,2010-07-29

[7]

積層構造体、積層構造体を含む半導体装置および半導体システム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020013261A1 ,2021-08-02

[8]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015098225A1 ,2017-03-23

[9]

半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P].

IKEJIRI MASAHIRO ;

TERABAYASHI MASAKI ;

MAEKAWA KOJI ;

AKIYAMA KOJI .

日本专利 :JP2024067682A ,2024-05-17

[10]

半導体基板、および、半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022132823A ,2022-09-13

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