半導体基板、および、半導体基板の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20210031504

申请日：

2021-03-01

公开(公告)号：

JP2022132823A

公开(公告)日：

2022-09-13

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

C30B19/04 C30B19/12 H01L21/208

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共 50 条

[1]

基板、基板の製造方法、半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011021715A1 ,2013-01-24

[2]

半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014077370A1 ,2017-01-05

[3]

半導体薄膜、半導体薄膜の製造方法、および、半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008139860A1 ,2010-07-29

[4]

半導体装置、ＴＦＴ基板、ならびに半導体装置およびＴＦＴ基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012073862A1 ,2014-05-19

[5]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015098225A1 ,2017-03-23

[6]

半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P].

IKEJIRI MASAHIRO ;

TERABAYASHI MASAKI ;

MAEKAWA KOJI ;

AKIYAMA KOJI .

日本专利 :JP2024067682A ,2024-05-17

[7]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7023438B1 ,2022-02-21

[8]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005013374A1 ,2006-09-28

[9]

半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P].

IKEJIRI MASAHIRO ;

AKIYAMA KOJI ;

FUJIWARA NAONORI ;

YAMAZAKI KAZUYOSHI .

日本专利 :JP2024051448A ,2024-04-11

[10]

半導体装置の製造方法、および、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019049632A1 ,2019-11-07

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