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有機絶縁材料、それを用いた有機絶縁膜用ワニス、有機絶縁膜及び半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090501328
申请日
:
2008-02-26
公开(公告)号
:
JPWO2008105551A1
公开(公告)日
:
2010-06-03
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C08F10/14
IPC分类号
:
C08F38/00
C09D5/25
C09D147/00
C09D149/00
H01L21/312
H01L21/768
H01L23/522
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
有機絶縁材料、それを用いた樹脂膜用ワニス、樹脂膜並びに半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008114705A1
,2010-07-01
[2]
絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010090038A1
,2012-08-09
[3]
新規化合物、絶縁膜材料、絶縁膜及び有機デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6413916B2
,2018-10-31
[4]
絶縁膜及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013187507A1
,2016-02-08
[5]
絶縁膜形成用重合体、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜及びそれを有する電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009017247A1
,2010-10-28
[6]
多孔質絶縁膜及びその製造方法並びに多孔質絶縁膜を用いた半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005053009A1
,2007-06-21
[7]
有機薄膜トランジスタ用絶縁膜材料及びこれを用いた有機薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008096850A1
,2010-05-27
[8]
絶縁電線及びそれを用いた電機コイル[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014024767A1
,2016-07-25
[9]
絶縁材料並びにこれを用いた高電圧機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013186872A1
,2016-02-01
[10]
有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜、及び有機半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016035640A1
,2017-04-27
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