学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
多孔質絶縁膜及びその製造方法並びに多孔質絶縁膜を用いた半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20050515834
申请日
:
2004-11-29
公开(公告)号
:
JPWO2005053009A1
公开(公告)日
:
2007-06-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/312
IPC分类号
:
C23C16/40
C23C16/42
H01L21/316
H01L21/768
H01L23/522
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007032261A1
,2009-03-19
[2]
絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010090038A1
,2012-08-09
[3]
有機絶縁材料、それを用いた有機絶縁膜用ワニス、有機絶縁膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008105551A1
,2010-06-03
[4]
組成物の製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009123104A1
,2011-07-28
[5]
絶縁電線及びそれを用いたコイル並びに絶縁電線の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5805336B1
,2015-11-04
[6]
多孔質半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004006969A1
,2005-11-10
[7]
絶縁膜材料、多層配線基板及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009008212A1
,2010-09-02
[8]
絶縁導体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024536028A
,2024-10-04
[9]
シリル化多孔質絶縁膜の製造方法、半導体装置の製造方法、およびシリル化材料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009144920A1
,2011-10-06
[10]
ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005068538A1
,2007-12-27
←
1
2
3
4
5
→