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多孔質半導体及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20050505094
申请日
:
2003-07-10
公开(公告)号
:
JPWO2004006969A1
公开(公告)日
:
2005-11-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
B01D39/20
IPC分类号
:
A61L9/16
A61L9/20
B01D39/14
B01D61/14
B01D69/10
B01D71/02
B01J35/00
C02F1/32
C02F1/72
C09K11/02
C09K11/08
C09K11/54
C09K11/59
C09K11/62
C09K11/64
C09K11/65
C09K11/67
C09K11/77
H01L21/368
H01L33/00
H01L33/16
H01L33/18
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
非多孔質体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010101242A1
,2012-09-10
[2]
半導体構造及びその製造方法[ja]
[P].
TAO LONG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
TAO LONG
;
LEE SPENCER RILEY
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
LEE SPENCER RILEY
;
HUANG PIN-HAO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
HUANG PIN-HAO
;
HUANG BAU-SHUN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
HUANG BAU-SHUN
;
CHEN ZE RUI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
CHEN ZE RUI
.
日本专利
:JP2025076982A
,2025-05-16
[3]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003052829A1
,2005-04-28
[4]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6305596B1
,2018-04-04
[5]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007020688A1
,2009-02-19
[6]
半導体素子の製造方法及び半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018055838A1
,2019-07-18
[7]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
SHIMABAYASHI MASAHARU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
SHIMABAYASHI MASAHARU
.
日本专利
:JP2025051052A
,2025-04-04
[8]
半導体構造およびその製造方法[ja]
[P].
CHUANG CHIAO-SHUN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
CHUANG CHIAO-SHUN
;
KUO TACHUAN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
KUO TACHUAN
.
日本专利
:JP2024155723A
,2024-10-31
[9]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015008336A1
,2017-03-02
[10]
半導体素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020080124A1
,2021-09-30
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