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半導体装置及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20030553627
申请日
:
2001-12-14
公开(公告)号
:
JPWO2003052829A1
公开(公告)日
:
2005-04-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G11C11/401
IPC分类号
:
G11C11/405
H01L21/3205
H01L21/822
H01L21/8234
H01L21/8238
H01L23/522
H01L27/04
H01L27/088
H01L27/092
H01L27/10
H10B12/00
H10B69/00
H10B99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6305596B1
,2018-04-04
[2]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007020688A1
,2009-02-19
[3]
半導体構造及びその製造方法[ja]
[P].
TAO LONG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
TAO LONG
;
LEE SPENCER RILEY
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
LEE SPENCER RILEY
;
HUANG PIN-HAO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
HUANG PIN-HAO
;
HUANG BAU-SHUN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
HUANG BAU-SHUN
;
CHEN ZE RUI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DIODES INC
DIODES INC
CHEN ZE RUI
.
日本专利
:JP2025076982A
,2025-05-16
[4]
半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
SHIMABAYASHI MASAHARU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
SHIMABAYASHI MASAHARU
.
日本专利
:JP2025051052A
,2025-04-04
[5]
多孔質半導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004006969A1
,2005-11-10
[6]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015008336A1
,2017-03-02
[7]
半導体装置とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007020686A1
,2009-02-19
[8]
半導体素子の製造方法及び半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018055838A1
,2019-07-18
[9]
半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008117355A1
,2010-07-08
[10]
半導体装置、および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
HARADA YUSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
ROHM CO LTD
ROHM CO LTD
HARADA YUSUKE
.
日本专利
:JP2024103169A
,2024-08-01
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