半導体構造およびその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240012071

申请日：

2024-01-30

公开(公告)号：

JP2024155723A

公开(公告)日：

2024-10-31

发明(设计)人：

CHUANG CHIAO-SHUN KUO TACHUAN

申请人：

DIODES INC

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L21/822 H01L21/8234 H01L29/06 H01L29/12 H01L29/739

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共 50 条

[1]

半導体構造および半導体構造の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016530719A ,2016-09-29

[2]

半導体構造及びその製造方法[ja] [P].

TAO LONG ;

LEE SPENCER RILEY ;

HUANG PIN-HAO ;

HUANG BAU-SHUN ;

CHEN ZE RUI .

日本专利 :JP2025076982A ,2025-05-16

[3]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015008336A1 ,2017-03-02

[4]

半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020080124A1 ,2021-09-30

[5]

半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

MATSUMOTO RYOSUKE .

日本专利 :JP2024012345A ,2024-01-30

[6]

半導体構造体の製造[ja] [P].

日本专利 :JP2023523167A ,2023-06-02

[7]

半導体装置、および半導体装置の製造方法[ja] [P].

HARADA YUSUKE .

日本专利 :JP2024103169A ,2024-08-01

[8]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

MIYATA YUSUKE ;

HARAGUCHI TOMOKI ;

MINAMITAKE HARUHIKO ;

HOSHI TAIKI ;

AKAO MASAYA ;

KOKETSU HIDENORI .

日本专利 :JP2025126502A ,2025-08-29

[9]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7378693B1 ,2023-11-13

[10]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005013374A1 ,2006-09-28

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